MRF8S9120NR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA, 920--960 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
120
?
W
IMD Symmetry @ 52 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
16
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
46
?
MHz
Gain Flatness in 40 MHz Bandwidth @ Pout
=33WAvg.
GF
?
0.3
?
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.016
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?P1dB
?
0.002
?
dB/°C
Typical Broadband Performance ? 880 MHz
(In Freescale 880 MHz Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA,
Pout
= 33 W Avg., Single--Carrier W--CDMA, IQ Magnitude Clipping, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF. ACPR
measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
Frequency
Gps
(dB)
ηD
(%)
Output PAR
(dB)
ACPR
(dBc)
IRL
(dB)
865 MHz
20.8
35.0
6.2
--37.1
-- 1 2
880 MHz
20.8
35.0
6.2
--37.5
-- 1 3
895 MHz
20.6
34.8
6.2
--38.0
-- 1 3
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